1、耐久性能20倍以上 “GaN系”提高光束源、半导体的成品率
名古屋大学的天野·本田研究室和光电首尔（名古屋市千种区，铃木孝征社长）利用氮化镓（GaN）系半导体材料的光电子束源（GaN光电阴极）的共同研究成果，确认了对应微细化和三维（3D）构造化的半导体检查·测量技术的有效性。可以提高半导体器件制造的成品率。岩手（岩手县北上市，柴山耕一郎社长）9月也开始在制造现场导入评价。
2、锂离子电池“电极涂布滚子”生产2倍 东丽工程生产自动化
东丽工程（东京都中央区，岩出卓社长），致力于锂离子电池（LiB）等的电极涂敷装置使用的滚子的生产自动化。2025年度内导入机器人等自动化装置。通过自动化使夜间制造成为可能，生产能力阶段性地提高到现状的2倍。通过余力也可以制造滚筒以外的零件的计划。增加内部制造的零件的种类，也有助于积累经验和强化成本竞争力。
3、p型层形成电流2倍 名大制造技术将“氧化镓半导体”实用化
名古屋大学的堀胜特任教授和小田修特任教授、清水尚博特任教授等人开发了氧化镓的功率半导体制造技术。通过离子注入的方法形成空穴在半导体中流动的p型层。当使用p型层制造二极管时，电流是传统方法的两倍。离子注入可以批量生产。在名大发风险企业开发材料技术和器件，推进氧化镓功率半导体的实用化。
4、“太阳能面板”大量废弃时代 废材在会议展位再利用可减半二氧化碳排放量
伊藤和日立制作所，TOKYAMA 1日，发表了把废弃的太阳光面板的板玻璃向Web会议展位的部件进行循环的实证，确认了能再利用。据说这是第一次尝试不粉碎玻璃，将其再用于办公家具。与新制造玻璃的工序相比，预计二氧化碳（CO₂）排放量最大可减少50%。面向实用化，谋求与建材等广泛领域的合作伙伴的合作。
5、自旋半导体进展…反铁磁体的高存储性能，东北大学等世界首次证实
东北大学和物质·材料研究机构，日本原子能研究开发机构的共同小组，确认了使用反铁磁性体，能使之具有超过由铁磁性体构成的「自旋半导体」的界限的记忆动作性能。将锰和锡的合金微细化为纳米（纳米为10亿分之一）尺寸，明确了可以自由高速控制反铁磁性体特有的现象“电流施加引起的自旋结构的相干旋转”。与自旋半导体的功能提高相连。
【日本语】
1、耐久性能20倍以上…「GaN系」でビーム源、半導体の歩留まり向上へ
名古屋大学の天野・本田研究室とフォトエレクトロンソウル（名古屋市千種区、鈴木孝征社長）は、窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体材料を用いた光電子ビーム源（ＧａＮフォトカソード）の共同研究成果を活用し、微細化や３次元（３Ｄ）構造化に対応する半導体検査・計測技術の有効性を確認した。半導体デバイス製造の歩留まり向上が図れるとする。キオクシア岩手（岩手県北上市、柴山耕一郎社長）が９月にも製造現場で導入評価を始める。
2、リチウムイオン電池「電極塗工ローラー」生産2倍、東レエンジニアリングが生産自動化
東レエンジニアリング（東京都中央区、岩出卓社長）は、リチウムイオン電池（ＬｉＢ）などの電極塗工装置で使うローラーの生産自動化に取り組む。２０２５年度内にロボットなどの自動化装置を導入。自動化により夜間製造を可能にし、生産能力を段階的に現状の２倍に引き上げる。余力によってローラー以外の部品も製造できるようにする計画。内製する部品の種類を増やし、ノウハウの蓄積やコスト競争力の強化にもつなげる。
3、p型層形成で電流2倍…「酸化ガリパワー半導体」実用化へ、名大が製造技術
名古屋大学の堀勝特任教授と小田修特任教授、清水尚博特任教授らは、酸化ガリウムのパワー半導体製造技術を開発した。半導体中を正孔が流れるｐ型層をイオン注入という手法で形成する。ｐ型層を利用したダイオードを作製すると従来法の２倍の電流を流せた。イオン注入は量産化が可能。名大発ベンチャーで材料技術やデバイスを開発しており、酸化ガリウムパワー半導体の実用化を進める。
4、「太陽光パネル」大量廃棄時代に一手…廃材で会議ブース、再利用でCO2半減
イトーキと日立製作所、トクヤマは１日、不要になった太陽光パネルの板ガラスをウェブ会議ブースの部材にアップサイクルする実証を行い、再利用できることを確認したと発表した。ガラスを粉砕せず、オフィス家具に再利用する初の試みという。ガラスを新たに製造する工程と比べ、二酸化炭素（ＣＯ２）排出量を最大５０％削減する効果を見込む。実用化に向け、建材など幅広い分野のパートナーとの連携を図る。
5、スピン半導体進展…反強磁性体で高い記憶性能、東北大などが世界初の実証
東北大学と物質材料研究機構、日本原子力研究開発機構の共同チームは、反強磁性体を使い、強磁性体で構成する「スピン半導体」の限界を超える記憶動作性能を持たせられることを確認した。マンガンとスズの合金をナノメートル（ナノは１０億分の１）寸法に微細化し、反強磁性体に特有の現象「電流印加によるスピン構造のコヒーレント回転」を自在に高速制御できることを明らかにした。スピン半導体の機能向上につながる。